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    冠禹KS1212DAT單N溝道高級功率 MOSFET

    全新包裝/正品保證/進口品牌/售后無憂

    產品名稱:KS1212DAT單N溝道高級功率 MOSFET

    產品型號:KS1212DAT

    代理品牌:kwansemi冠禹

    產品封裝:TO-252封裝

    交期時間:現貨一般當天交貨,預定需電話詳情.

    發貨貨倉:深圳、香港

    熱門標簽:KS1212DAT,KS1212DAT資料,KS1212DAT溝槽MOSFET

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    資料下載:kwansemi冠禹KS1212DAT溝槽MOSFET-封裝TO-252規格書

    產品概況 產品特點 相關下載

    單N溝道高級功率 MOSFET


    特征

    ·100V/36A,

    RDs(ON) =16mΩ(Typ.) @VGs=10V

    RDs(on) =21mΩ(Typ.) @VGs=4.5V

    ·優秀的QG RDS(on)產品(FOM)

    ·SGT科技

    ·100%雪崩測試


    應用

    ·電源開關應用動作

    ·LED背光


    筆記:

    ①脈沖寬度受安全工作區限制。

    ②根據最大允許結溫計算出的連續電流。

    ③安裝在1平方英寸銅板上時,t≤10sec。 任何給定應用程序中的值

    取決于用戶的具體電路板設計。

    ④受TJmax限制,IAS=12A,L=0.5mH,VDD=50V,RG=25Ω,啟動TJ=25°C。

    ⑤脈沖測試;脈沖寬度≤300μs,占空比≤2%。

    ⑥設計保證,未經生產測試。




    Single N-Channel Advanced Power MOSFET


    Features

    ·100V/36A,

    RDs(ON) =16mΩ(Typ.) @VGs=10V

    RDs(oN) =21mΩ(Typ.) @VGs=4.5V

    ·Excellent QG  RDS(on) product(FOM)

    ·SGT Technology

    ·100%Avalanche Tested


    Applications

    ·Power Switching Appli action

    ·LED Backlighting



    Notes:

    ①Pulse width limited by safe operating area.

    ②Calculated continuous current based on maximum allowable junction temperature.

    ③When mounted on 1 inch square copper board, t≤10sec. The value in any given application

    depends on the user's specific board design.

    ④Limited by TJmax, IAS =12A, L=0.5mH, VDD = 50V, RG = 25Ω , Starting TJ = 25°C.

    ⑤Pulse test;Pulse width≤300μs, duty cycle≤2%.

    ⑥Guaranteed by design, not subject to production testing.


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