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    臺灣松木ME4435/ME4435-G/P溝道MOS管

    全新包裝/原廠正品/量大價優/售后無憂

    產品名稱:臺灣松木P 溝道 30V (D-S) MOSFET

    產品型號:ME4435/ME4435-G

    代理品牌:臺灣松木

    產品封裝:SOT-23

    交期時間:現貨一般當天交貨,具體需電話詳情.

    發貨貨倉:深圳/香港

    熱門標簽:松木ME4435/ME4435-G,P溝道MOS管

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    資料下載:臺灣松木ME4435/ME4435-G中低壓mos管產品規格書

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    ME4435/ME4435-G,P溝道30V (D-S) MOSFET


    一般說明


    ME4435是P溝道邏輯增強型功率場,效應晶體管采用高單元密度、DMOS溝槽技術生產。這種高密度工藝特別適用于最小化導通電阻。這些器件特別適用于低電壓應用,如手機和筆記本電腦、計算機電源管理和其他電池供電電路,這些應用需要在非常小的外形表面貼裝封裝中實現高側開關和低在線功率損耗。


    應用


    ● 筆記本電源管理


    ● 便攜設備


    ● 電池供電系統


    ● DC/DC 轉換器


    ● 負載開關


    ● DSC


    ● LCD 顯示逆變器



    ME4435/ME4435-G

      ME4435/ME4435-G,P-Channel 30V (D-S) MOSFET


      GENERAL DESCRIPTION


      The ME4435 is the P-Channel logic enhancement mode power field,effect transistors are produced using high cell density , DMOS trench ,technology. This high density process is especially tailored to ,minimize on-state resistance. These devices are particularly suited,for low voltage application such as cellular phone and notebook,computer power management and other battery powered circuits,where high-side switching and low in-line power loss are needed in a ,very small outline surface mount package.


      APPLICATIONS


      ● Power Management in Note book


      ● Portable Equipment


      ● Battery Powered System


      ● DC/DC Converter


      ● Load Switch


      ● DSC


      ● LCD Display inverter


    特征


    ● RDS(ON)≦20m?@VGS=-10V


    ● RDS(ON)≦35m?@VGS=-4.5V ● 超高密度電池設計,RDS(ON)極低


    ● 出色的導通電阻和最大直流電流能力

      FEATURES


      ● RDS(ON)≦20m?@VGS=-10V


      ● RDS(ON)≦35m?@VGS=-4.5V

          ● Super high density cell design for extremely low RDS(ON)


      ● Exceptional on-resistance and maximum DC current capability


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