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    理光R5449系列 高效單節鋰電保護芯片

    全新包裝/正品保證/海量現貨/售后無憂

    產品名稱:高效單節鋰電保護芯片

    產品系列:R5449(新款)

    代理品牌:日本理光

    產品封裝:WLCSP-8-P8

    交期時間:現貨一般當天交貨,預定需電話詳情.

    發貨貨倉:深圳福田

    熱門標簽:單節鋰電保護芯片,高效單節鋰電保護芯片,電池保護芯片

    咨詢熱線:13189714166 在線咨詢

    資料下載:理光半導體_R5449系列 高效單節鋰電保護芯片_消費品應用產品規格書

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    R5449 系列

    高效單節鋰電保護芯片,內置驅動,可使用高位Nch FET開關,內置溫度保護

    R5449系列芯片是單節鋰電池保護芯片,對過電壓充電,欠電壓放電,充電過電流,放電過電流,以及溫度異常均有保護作用。此芯片能驅動外置高位Nch MOSFET開關,此芯片對電壓,電流的檢測精度非常高,并且能夠防止0V電池再充電。

    此外,本產品提供超低耗電的Standby Mode,當發現欠壓放電,電壓低于電路最低值時,會進入Standby Mode, 此時內部電路會停止工作。另外,使用CTL端子也可以強制芯片進入Standby Mode。

    項目 消費
    輸入電壓1.5 V to 5.0 V (Maximum Rating: 6.5 V)
    元件數1
    電源電流Typ. 5.0 μA
    待機電流Max. 0.04 μA
    過充電檢測電壓4.2 V to 4.6 V (0.005 V step)
    過充電檢測電壓精度±10 mV (0°C ≤ Ta ≤ 50°C)
    過充電檢測延遲時間1024 ms / 2048 ms / 3072 ms / 4096 ms
    過放電檢測電壓2.0 V to 3.4 V (0.005 V step)
    過放電檢測電壓精度±35 mV
    過放電檢測延遲時間16 ms / 32 ms / 128 ms
    放電過電流檢測電壓0.012 V to 0.150 V (0.001 V step)
    放電過電流檢測電壓精度0.012 V to 0.040 V: ±2mV
    0.041 V to 0.060 V: ±5%
    0.061 V to 0.150 V: ±3mV
    放電過電流檢測延遲時間32 ms / 128 ms / 256 ms / 512 ms / 1024 ms
    充電過電流檢測電壓?0.150 V to ?0.012 V (0.001 V step)
    充電過電流檢測電壓精度?0.150 V to ?0.061 V: ±3mV
    ?0.060 V to ?0.041 V: ±5%
    ?0.040 V to ?0.012 V: ±2mV
    充電過電流檢測延遲時間8 ms
    短路檢測電壓0.032 V to 0.200 V (0.005V step)
    短路檢測電壓精度±3 mV
    檢測延遲時間短280 μs
    恢復過充的條件Latch
    恢復過放電的條件Latch
    封裝WLCSP-8-P8
    0 V Battery ChargeInhibition
    Current SenseResistor / FET
    Thermal ProtectionCharge and Discharge Current

    【說 明】

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    產品名稱對應封裝標注信賴性
    R5449Zxxxxx-E2-F
    • 1635834899.png

    WLCSP-8-P8R5449ZR5449Z-F

    有關產品的詳細信息,請參見數據表。
    封裝文件包括封裝尺寸,卷帶規格,卷帶盤尺寸,功耗和建議的焊盤圖案。
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