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    氮化鎵黑馬元拓高科發布GaNmosfet: 體積小,內阻低,耐壓高,散熱快

    發布時間:2021-12-24    欄目行業:產品知識    瀏覽次數:

      深圳元拓高科作為國內第三代半導體設計公司,集合了國內外十數名資深功率器件資深專家,最新推出專門用于快充充電頭的氮化鎵Mos管YT65系列。該產品主要針對30W——120W 快充頭,體積小,內阻低,耐壓高,集成度高,散熱快,助力用戶輕松設計充電頭。

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      該系列芯片具有以下優勢:


      1.體積小


      YT65系列不同于業界普遍采用的QFN8*8封裝,采用DFN5*6的封裝,在追求小型化,大功率密度的設計中,節省了PCB空間, 大大簡化了工程師布板的難度。


      以下是參考設計demo,65W 1A1C;業績體積最小。功率密度達2.08w;


      2.內阻低


      YT65系列中的YT65E15DAB為單體增強型設計,內阻低至120mΩ,大大降低了MOS管在工作是的發熱,提高工作電流。


      3.耐壓高


      本公司所有系列的GaN產品,耐壓最低在750V以上,電路設計,電路保護,不發生炸機。降低了工程師在設計中的風險,對其他物料的選型不挑品牌。在缺物料的大環境市場行情中,更快設計,更快出品。


      3.外圍簡單


      外圍電路簡單,該芯片內部內置驅動,外圍設計非常簡單,Vgs最大20V,可以直接驅動,無需另外驅動電路。少用10幾顆元器件,對于客戶BOM成本,加工成本都能降低,同時大大降低了生產工藝難度,易于生產。從而整體降低產品成本。


      4.獨特封裝設計,散熱更快


      采用DFN5*6的封裝,而且底部超大散熱面積,有效降低了熱量在芯片的疊加,增加了安全性。整個產品外殼的溫升也得到有效的控制。另外,獨特的EMI設計,整個充電頭過安規認證也更容易。


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