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    捷捷微電推出新-代100VP溝道SGT MOSFET,JMPL1050AU采用薄小型PDFN3x3-8L封裝

    發布時間:2022-09-30    欄目行業:產品知識    瀏覽次數:

      2022年7月1日捷捷微電特此專題推出新-代100VP溝道SGT MOSFET.比起上一代設計,FOM 性能改善20%,實現國際領先。先進PDFN3x3-8L及PDFN5x6-8L薄型封裝,比傳統SOP-8L及DPAK封裝,面積縮小64%及48%,高度降低45%及55%,極為適合緊湊型終端設計。同時,PDFN5x6-8L 的引腳具低應力且長達0.275mm,極大程度地改善自動光學檢測(AOI)印刷電路板組裝(PCBA) 的焊點良率,進一步保證終端的穩定工作和長期可靠性。

    N溝道MOSFET.png

      100V P溝道MOSFET的驅動電路相比N溝道MOSFET更加簡單,滿足超性能運算(HPC)、工業5.0(IE) 、車載電子(Autonomous Driving System, ADS)后裝市場的「 高端負載、防反接電路、電池反向保護、B/BLDC 電機驅動、DC-DC降壓轉換的高邊開關J等應用對系統長期穩定運作,陝窄應用空間、及減少電路關鍵故障點的不斷需求。新一代P溝道JPFET9 性能達國際領先水平,主要電氣參數如RosOMLm和FOM均優于國際-線半導體IDM同類產品。其中JMPL1050AU采用薄小型PDFN3x3-8L封裝,在Vs=10V條件下,器件的RosO.m及FOM測量

      值分別低達38mQ 1 760,均為國際領先水平。此外,-流的線性模式1安全工作區(SOA) 特性,使器件在大電流的工作狀態下,仍能實現安全可靠的運作。極低的導通電阻有助于提高運行效能,降低系統成本,并延長器件的使用壽命。

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